三清儀器光刻膠 PI 固化無(wú)氧烘烤箱 GMO-60D 是一款用于特定工藝的設(shè)備，以下是其詳細(xì)介紹：
參照標(biāo)準(zhǔn)：該烘箱參照 GB/T11158-1989、GB2423.2-1989 干燥箱技術(shù)條件及國(guó)家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)研究制造。
適用范圍：廣泛用于 IC 封裝、晶體管、傳感器、石英晶體振蕩器、混合集成電路板等領(lǐng)域，適用于光刻膠 PI 固化等工藝，使用時(shí)室內(nèi)充滿惰性氣體（如 CO?、N?），可防止材料在操作中氧化。
主要技術(shù)指標(biāo)：
含氧量：≤20ppm
溫度范圍：+60~+550℃
溫度均勻度：±2.5℃（在 200℃時(shí)，空載）；±5℃（在 350℃時(shí)，空載）
升溫速度：常溫～400℃，升溫速度 > 6℃/min
溫控精度：±1℃
工作室尺寸：W600×H600×D600（mm）
外形尺寸：W1190×H1730×D1100（mm）
功率：9KW
產(chǎn)品特點(diǎn)：
保溫性能：箱體選用全陶瓷纖維保溫，具有升溫快、節(jié)能等特點(diǎn)。
溫度均勻性：獨(dú)特的送風(fēng)、排風(fēng)系統(tǒng)，確保爐箱溫度均勻。
潔凈度：吸風(fēng)口玻纖過(guò)濾器，可確保潔凈度要求，工作室材料使用 SUS321 鏡面不銹鋼，潔凈等級(jí)高，不發(fā)黃。
加熱方式：采用不銹鋼加熱器加熱，加熱面積大，溫度分布更加均勻。
記錄功能：配備溫度和氧含量記錄，采用進(jìn)口無(wú)紙記錄儀。
三清儀器 GMO-60D 光刻膠 PI 固化無(wú)氧烘烤工藝流程
GMO-60D 是專為光刻膠 PI（聚酰亞胺）固化設(shè)計(jì)的無(wú)氧烘烤箱，核心是在 ≤20ppm 低氧 、高潔凈氮?dú)夥障拢ㄟ^(guò)分段升溫 - 保溫 - 降溫，完成 PI 前體的溶劑脫除、亞胺化與致密化，同時(shí)避免氧化與熱應(yīng)力損傷。以下為完整、可執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)工藝流程，含關(guān)鍵參數(shù)與質(zhì)控要點(diǎn)。
準(zhǔn)備階段（Pre-Process）
設(shè)備與環(huán)境準(zhǔn)備
清潔：用無(wú)塵布 + 異丙醇（IPA）擦拭工作室（SUS321 鏡面不銹鋼）、擱板、風(fēng)道與過(guò)濾器，確保無(wú)顆粒、油污、殘留膠漬；檢查玻纖過(guò)濾器無(wú)破損，必要時(shí)更換。
氮?dú)馀c安全：確認(rèn)高純度 N?（≥99.999%）供應(yīng)壓力 0.4–0.6MPa，管路無(wú)泄漏；檢查氧含量分析儀、溫控系統(tǒng)、超溫 / 低氧報(bào)警功能正常；空載試運(yùn)行，驗(yàn)證含氧量≤20ppm、溫度均勻度達(dá)標(biāo)（200℃±2.5℃，350℃±5℃）。
載具：使用潔凈、耐高溫（≥400℃）的石英 / 陶瓷載具或 SUS316L 花籃，避免金屬污染；載具需預(yù)烘烤（200℃/30min）去除水分與殘留。
工件前處理
涂覆與軟烘：完成 PI 前體（Polyimide Precursor）均勻涂覆（旋涂 / 噴涂）后，先進(jìn)行軟烘（90–120℃，1–3min），初步脫除溶劑，防止后續(xù)升溫時(shí)溶劑暴沸導(dǎo)致膠層針孔。
檢查與入盒：在百級(jí)潔凈臺(tái)檢查膠層無(wú)氣泡、針孔、劃痕、膜厚均勻；將工件平穩(wěn)放入載具，避免疊放與摩擦。
后處理與質(zhì)控（Post-Process）
出片與檢查
出片：在百級(jí)潔凈臺(tái)取出工件，避免觸碰膠面；檢查表面無(wú)變色、黃變、針孔、裂紋、翹曲。
檢測(cè)：
膜厚：用臺(tái)階儀測(cè)量，偏差≤±5%；
附著力：做劃格試驗(yàn)（百格刀），無(wú)脫落；
微觀：用光學(xué)顯微鏡 / SEM 觀察無(wú)針孔、氣泡、分層；
性能：按需求測(cè)試介電常數(shù)、熱穩(wěn)定性、耐化學(xué)性。
設(shè)備復(fù)位
清潔：用 IPA 擦拭工作室與載具，清除殘留；
維護(hù)：記錄工藝參數(shù)、溫度 / 氧含量曲線；定期更換過(guò)濾器、檢查 N?管路與密封件；
關(guān)機(jī)：關(guān)閉加熱、N?，保持爐內(nèi)干燥。
關(guān)鍵工藝注意事項(xiàng)
氧含量控制：全程≤20ppm，否則 PI 易氧化黃變、性能下降；定期校準(zhǔn)氧分析儀，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確。
升溫 / 降溫速率：過(guò)快易導(dǎo)致膠層針孔、開裂；過(guò)慢影響效率，需按 PI 前體特性優(yōu)化。
膜厚與溫度匹配：厚膜（>10μm）需延長(zhǎng)保溫時(shí)間或提高上限溫度（但不超過(guò) PI 分解溫度）。
潔凈度：全程在百級(jí)環(huán)境操作，避免顆粒污染導(dǎo)致器件失效。
安全：N?為惰性氣體，需保證操作區(qū)域通風(fēng)，防止缺氧；高溫操作時(shí)避免接觸爐體，防止?fàn)C傷。
